SI4686DY-T1-GE3

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SI4686DY-T1-GE3

零件编号：

SI4686DY-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SO-8

数量：

7839

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

封装 / 外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

供应商器件封装

8-SOIC

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

26 nC @ 10 V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

3V @ 250µA

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1220 pF @ 15 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

18.2A (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

9.5mOhm @ 13.8A, 10V

最大功耗

3W (Ta), 5.2W (Tc)

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