SI4116DY-T1-E3

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SI4116DY-T1-E3

零件编号：

SI4116DY-T1-E3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SO-8

数量：

2714

RoHS 状态：

NO

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

封装 / 外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

供应商器件封装

8-SOIC

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

18A (Tc)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

2.5V, 10V

最大栅源电压

±12V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1.4V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

56 nC @ 10 V

漏极至源极电压 (Vdss)

25 V

最大功耗

2.5W (Ta), 5W (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

8.6mOhm @ 10A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1925 pF @ 15 V

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