中文
中文
English
首页
产品中心
热销产品 (185048)
品牌
询价
资讯
技术资讯
关于我们
公司介绍
企业文化
库房实拍
联系我们
联系我们
质量控制
质量控制
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
联系我们
质量控制
中文
English
首页
产品中心
SI1308EDL-T1-GE3
零件编号:
SI1308EDL-T1-GE3
产品分类:
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
SOT-323
数量:
24661
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
询价
数量
发送询价单
数量
价格
总价
1
$0.5
$0.5
10
$0.34
$3.4
100
$0.2
$20
500
$0.19
$95
1000
$0.17
$170
获取报价信息
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.5V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
2.5V, 10V
最大栅源电压
±12V
封装 / 外壳
SC-70, SOT-323
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
供应商器件封装
SC-70-3
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
132mOhm @ 1.4A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
105 pF @ 15 V
最大功耗
400mW (Ta), 500mW (Tc)
最新产品
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
FDD6680A
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
onsemi
IRF5803D2TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Infineon Technologies
IRFU420
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Vishay Siliconix
STP30NF10
MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
STMicroelectronics
STP130N10F3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
STMicroelectronics
IRLR014
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Vishay Siliconix
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
在线服务
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0755-83483730 / 23823366
在线服务
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
president@sdes-ic.com