NTD4808N-1G

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NTD4808N-1G

零件编号：

NTD4808N-1G

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

封装：

Tube

包装：

TO-251

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Through Hole

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

-

认证

-

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 250µA

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

供应商器件封装

IPAK

封装 / 外壳

TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

8mOhm @ 30A, 10V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 11.5V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

10A (Ta), 63A (Tc)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1538 pF @ 12 V

最大功耗

1.4W (Ta), 54.6W (Tc)

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