NP36P06KDG-E1-AY

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NP36P06KDG-E1-AY

零件编号：

NP36P06KDG-E1-AY

产品分类：

制造商：

Renesas Electronics Corporation

描述：

MOSFET P-CH 60V 36A TO263

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

TO-263

数量：

4191

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

Automotive

认证

AEC-Q101

场效应晶体管类型

P-Channel

漏极至源极电压 (Vdss)

60 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 1mA

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

36A (Tc)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

3100 pF @ 10 V

供应商器件封装

TO-263

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

54 nC @ 10 V

工作温度

175°C (TJ)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

29.5mOhm @ 18A, 10V

最大功耗

1.8W (Ta), 56W (Tc)

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