IRFD010

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IRFD010

零件编号：

IRFD010

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP

封装：

Tube

包装：

DIP-4

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Through Hole

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

供应商器件封装

4-HVMDIP

封装 / 外壳

4-DIP (0.300", 7.62mm)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

250 pF @ 25 V

漏极至源极电压 (Vdss)

50 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

200mOhm @ 860mA, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

13 nC @ 10 V

最大功耗

1W (Tc)

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