IRF830B

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IRF830B

零件编号：

IRF830B

产品分类：

制造商：

Fairchild Semiconductor

描述：

N-CHANNEL POWER MOSFET

封装：

Bulk

包装：

TO-220

数量：

11403

RoHS 状态：

NO

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

封装 / 外壳

TO-220-3

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

500 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

供应商器件封装

TO-220

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

35 nC @ 10 V

最大栅源电压

±30V

最大功耗

73W (Tc)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1050 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

1.5Ohm @ 2.25A, 10V

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