IRF8010STRLPBF
零件编号:
IRF8010STRLPBF
产品分类:
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
TO-263
数量:
3369
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
数量
价格
总价
1
$2.1
$2.1
10
$1.8
$18
100
$1.38
$138
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
120 nC @ 10 V
供应商器件封装
D2PAK
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
最大功耗
260W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
15mOhm @ 45A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3830 pF @ 25 V