IRF630NPBF

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IRF630NPBF

零件编号：

IRF630NPBF

产品分类：

制造商：

Infineon Technologies

描述：

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

封装：

Tube

包装：

TO-200

数量：

3259

RoHS 状态：

PDF：

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总价

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$0.65

$32.5

100

$0.59

$59

500

$0.55

$275

1000

$0.5

$500

2000

$0.49

$980

5000

$0.46

$2300

10000

$0.46

$4600

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

认证

供应商器件封装

TO-220AB

封装 / 外壳

TO-220-3

漏极至源极电压 (Vdss)

200 V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

35 nC @ 10 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

9.3A (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

300mOhm @ 5.4A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

575 pF @ 25 V

最大功耗

82W (Tc)

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