IPB034N06N3G

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IPB034N06N3G

零件编号：

IPB034N06N3G

产品分类：

制造商：

Infineon Technologies

描述：

N-CHANNEL POWER MOSFET

封装：

Bulk

包装：

TO-263-7

数量：

4746

RoHS 状态：

NO

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

60 V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

130 nC @ 10 V

最大功耗

167W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

100A (Tc)

封装 / 外壳

TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

供应商器件封装

PG-TO263-7-3

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 93µA

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

11000 pF @ 30 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

3.4mOhm @ 100A, 10V

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