IPB027N10N3G

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IPB027N10N3G

零件编号：

IPB027N10N3G

产品分类：

制造商：

UMW

描述：

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

TO-263

数量：

2256

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压 (Vdss)

100 V

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

工作温度

-55°C ~ 175°C

供应商器件封装

TO-263-3

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

120A

最大功耗

300W

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