在线服务
服务时间： 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服：
请选择在线客服：
0755-83483730 / 23823366
HGTP5N120BND
零件编号：
HGTP5N120BND
产品分类：
制造商：
onsemi
描述：
IGBT NPT 1200V 21A TO-220-3
封装：
Tube
包装：
TO-220
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
安装类型
Through Hole
零件状态
Discontinued at
封装 / 外壳
TO-220-3
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
TO-220-3
输入类型
Standard
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
1200 V
集电极脉冲电流 (Icm)
40 A
IGBT类型
NPT
栅极电荷
53 nC
反向恢复时间
65 ns
最大功率
167 W
集电极电流（Ic）（最大值）
21 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 5A
开关能量
450µJ (on), 390µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C
22ns/160ns
测试条件
960V, 5A, 25Ohm, 15V
最新产品
SGL160N60UFDTU
IGBT 600V 160A TO-264-3
onsemi
IRGPS40B120UPBF
IGBT NPT 1200V 80A SUPER-247
Infineon Technologies
IRG4PC40WPBF
IGBT 600V 40A TO-247AC
Infineon Technologies
STGP20V60F
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
STMicroelectronics
SGP13N60UFDTU
IGBT 600V 13A TO-220-3
onsemi
SGP5N60RUFDTU
IGBT 600V 8A TO-220-3
Fairchild Semiconductor
IRGS4045DPBF
IGBT 600V 12A 77W D2PAK
Infineon Technologies
HGTG20N60B3D
IGBT 600V 40A TO-247-3
onsemi
在线服务
服务时间： 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服：
请选择在线客服：
president@sdes-ic.com
香港世东电子科技有限公司
地址：深圳市福田区中航路都会轩3402室
联系电话：0755-83483730 邮箱：president@sdes-ic.com
Copyright@2025 All Rights Reserved
技术支持：集群科技