HGT1S10N120BNS

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HGT1S10N120BNS

零件编号：

HGT1S10N120BNS

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

IGBT NPT 1200V 35A TO-263

封装：

Tube

包装：

SOT-263

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

输入类型

Standard

电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）

1200 V

最大功率

298 W

供应商器件封装

TO-263 (D2PAK)

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

栅极电荷

100 nC

IGBT类型

NPT

Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

集电极脉冲电流 (Icm)

80 A

集电极电流（Ic）（最大值）

35 A

导通/关断时间 (Td) @ 25°C

23ns/165ns

测试条件

960V, 10A, 10Ohm, 15V

开关能量

320µJ (on), 800µJ (off)

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