FQT1N60CTF-WS

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FQT1N60CTF-WS

零件编号：

FQT1N60CTF-WS

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SOT-223

数量：

22732

RoHS 状态：

PDF：

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零件状态

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安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

170 pF @ 25 V

封装 / 外壳

TO-261-4, TO-261AA

漏极至源极电压 (Vdss)

600 V

供应商器件封装

SOT-223-4

最大栅源电压

±30V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

200mA (Tc)

最大功耗

2.1W (Tc)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

6.2 nC @ 10 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

11.5Ohm @ 100mA, 10V

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