FQPF8P10

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FQPF8P10

零件编号：

FQPF8P10

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F

封装：

Tube

包装：

TO-220F

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Through Hole

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压 (Vdss)

100 V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

-

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

-

认证

-

场效应晶体管类型

P-Channel

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

15 nC @ 10 V

封装 / 外壳

TO-220-3 Full Pack

最大栅源电压

±30V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

5.3A (Tc)

最大功耗

28W (Tc)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

470 pF @ 25 V

供应商器件封装

TO-220F-3

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

530mOhm @ 2.65A, 10V

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