FQP8N80C

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FQP8N80C

零件编号：

FQP8N80C

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

封装：

Tube

包装：

TO-22O

数量：

2964

RoHS 状态：

PDF：

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100

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$202

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$870

1000

$1.61

$1610

2000

$1.57

$3140

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

等级

认证

封装 / 外壳

TO-220-3

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

供应商器件封装

TO-220-3

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

8A (Tc)

漏极至源极电压 (Vdss)

800 V

最大栅源电压

±30V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

45 nC @ 10 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

5V @ 250µA

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2050 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

1.55Ohm @ 4A, 10V

最大功耗

178W (Tc)

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