FQD1N80TM

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FQD1N80TM

零件编号：

FQD1N80TM

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

TO-252

数量：

7134

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

封装 / 外壳

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

漏极至源极电压 (Vdss)

800 V

最大栅源电压

±30V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

5V @ 250µA

供应商器件封装

TO-252AA

最大功耗

2.5W (Ta), 45W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

1A (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

20Ohm @ 500mA, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

7.2 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

195 pF @ 25 V

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