FQB8P10TM

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FQB8P10TM

零件编号：

FQB8P10TM

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

TO-263

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压 (Vdss)

100 V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

-

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

-

认证

-

场效应晶体管类型

P-Channel

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

15 nC @ 10 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

8A (Tc)

供应商器件封装

TO-263 (D2PAK)

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

最大栅源电压

±30V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

470 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

530mOhm @ 4A, 10V

最大功耗

3.75W (Ta), 65W (Tc)

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