FDS2670

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FDS2670

零件编号：

FDS2670

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SO-8

数量：

5689

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

封装 / 外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

供应商器件封装

8-SOIC

漏极至源极电压 (Vdss)

200 V

最大功耗

2.5W (Ta)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

3A (Ta)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4.5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

43 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1228 pF @ 100 V

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