FDP3632
零件编号:
FDP3632
产品分类:
制造商:
onsemi
描述:
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
封装:
Tube
包装:
TO-220
数量:
7997
RoHS 状态:
NO
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PDF:
数量
价格
总价
1
$4.92
$4.92
50
$2.41
$120.5
100
$2.3
$230
500
$1.93
$965
1000
$1.8
$1800
2000
$1.77
$3540
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
零件状态
Not For New Designs
供应商器件封装
TO-220-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
110 nC @ 10 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6000 pF @ 25 V
最大功耗
310W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
9mOhm @ 80A, 10V