FDMS86101

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FDMS86101

零件编号：

FDMS86101

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

PQFN-8L

数量：

16926

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压 (Vdss)

100 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

6V, 10V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

8mOhm @ 13A, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

55 nC @ 10 V

封装 / 外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-PQFN (5x6)

最大功耗

2.5W (Ta), 104W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

12.4A (Ta), 60A (Tc)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

3000 pF @ 50 V

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