FDMS0312S
零件编号:
FDMS0312S
产品分类:
制造商:
onsemi
描述:
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
QFN
数量:
4145
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
数量
价格
总价
1
$0.92
$0.92
10
$0.64
$6.4
100
$0.44
$44
500
$0.36
$180
1000
$0.33
$330
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 1mA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
46 nC @ 10 V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
最大功耗
2.5W (Ta), 46W (Tc)
供应商器件封装
8-PQFN (5x6)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2820 pF @ 15 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
19A (Ta), 42A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
4.9mOhm @ 18A, 10V