FDD3682

首页产品中心

FDD3682

零件编号：

FDD3682

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

TO-252

数量：

4686

RoHS 状态：

PDF：

询价

数量

发送询价单

数量

价格

总价

$1.1

$0.82

$8.2

100

$0.65

$65

500

$0.58

$290

1000

$0.56

$560

获取报价信息

产品参数

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压 (Vdss)

100 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

认证

零件状态

Not For New Designs

封装 / 外壳

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

28 nC @ 10 V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

6V, 10V

供应商器件封装

TO-252AA

最大功耗

95W (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

36mOhm @ 32A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1250 pF @ 25 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

5.5A (Ta), 32A (Tc)

最新产品

IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Infineon Technologies

FDD6680A

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

onsemi

IRF5803D2TRPBF

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

Infineon Technologies

IRFU420

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

Vishay Siliconix

STP30NF10

MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB

STMicroelectronics

STP130N10F3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

STMicroelectronics

IRLR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

IRLML2502TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Infineon Technologies

香港世东电子科技有限公司

地址：深圳市福田区中航路都会轩3402室

联系电话：0755-83483730 邮箱：president@sdes-ic.com