FDB8870

首页产品中心

FDB8870

零件编号：

FDB8870

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

TO-263

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

分享：

PDF：

询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

-

认证

-

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 250µA

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

供应商器件封装

TO-263 (D2PAK)

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

最大功耗

160W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

23A (Ta), 160A (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

3.9mOhm @ 35A, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

132 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

5200 pF @ 15 V

最新产品

IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Infineon Technologies

FDD6680A

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

IRF5803D2TRPBF

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

Infineon Technologies

IRFU420

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

Vishay Siliconix

STP30NF10

MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB

STMicroelectronics

STP130N10F3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

STMicroelectronics

IRLR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

IRLML2502TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Infineon Technologies

香港世东电子科技有限公司

地址：深圳市福田区中航路都会轩3402室

联系电话：0755-83483730 邮箱：president@sdes-ic.com

Copyright@2025 All Rights Reserved 技术支持：集群科技