FDA59N30

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FDA59N30

零件编号：

FDA59N30

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN

封装：

Tube

包装：

TO-3P

数量：

2176

RoHS 状态：

PDF：

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1020

$2.23

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

封装 / 外壳

TO-3P-3, SC-65-3

漏极至源极电压 (Vdss)

300 V

最大功耗

500W (Tc)

最大栅源电压

±30V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

5V @ 250µA

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

59A (Tc)

供应商器件封装

TO-3PN

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

100 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

4670 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

56mOhm @ 29.5A, 10V

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