DMP21D0UFB4-7B
零件编号:
DMP21D0UFB4-7B
产品分类:
制造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
X2-DFN1006-3
数量:
1600
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
数量
价格
总价
1
$0.45
$0.45
10
$0.28
$2.8
100
$0.17
$17
500
$0.13
$65
1000
$0.1
$100
2000
$0.1
$200
5000
$0.09
$450
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
最大栅源电压
±8V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.8V, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
80 pF @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
770mA (Ta)
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装 / 外壳
3-XFDFN
最大功耗
430mW (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
495mOhm @ 400mA, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.54 nC @ 8 V