DMN65D8LFB-7B
零件编号:
DMN65D8LFB-7B
产品分类:
制造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
X1-DFN100
数量:
343901
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
数量
价格
总价
1
$0.19
$0.19
10
$0.1
$1
100
$0.07
$7
500
$0.06
$30
1000
$0.05
$50
2000
$0.05
$100
5000
$0.04
$200
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
25 pF @ 25 V
封装 / 外壳
3-UFDFN
供应商器件封装
X1-DFN1006-3
最大功耗
430mW (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3Ohm @ 115mA, 10V