DMN65D8LDW-7

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DMN65D8LDW-7

零件编号：

DMN65D8LDW-7

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SMD

数量：

42247

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2V @ 250µA

配置

2 N-Channel (Dual)

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

漏极至源极电压 (Vdss)

60V

封装 / 外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装

SOT-363

最大功率

300mW

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

180mA

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

6Ohm @ 115mA, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

0.87nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

22pF @ 25V

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