DMN62D0LFB-7B
零件编号:
DMN62D0LFB-7B
产品分类:
制造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
DFN1006-3
数量:
9741
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
数量
价格
总价
1
$0.43
$0.43
10
$0.27
$2.7
100
$0.14
$14
500
$0.11
$55
1000
$0.1
$100
2000
$0.1
$200
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
封装 / 外壳
3-UFDFN
供应商器件封装
X1-DFN1006-3
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.5V, 4V
最大功耗
470mW (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
2Ohm @ 100mA, 4V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.45 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
32 pF @ 25 V