DMN3032LE-13

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DMN3032LE-13

零件编号：

DMN3032LE-13

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SOT223

数量：

60613

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2V @ 250µA

封装 / 外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223-3

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

最大功耗

1.8W (Ta)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

11.3 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

498 pF @ 15 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

29mOhm @ 3.2A, 10V

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