DMN2300UFB4-7B

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DMN2300UFB4-7B

零件编号：

DMN2300UFB4-7B

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

X2-DFN1006-3

数量：

206262

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

1.3A (Ta)

最大功耗

500mW (Ta)

漏极至源极电压 (Vdss)

20 V

最大栅源电压

±8V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

950mV @ 250µA

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

1.5V, 4.5V

供应商器件封装

X2-DFN1006-3

封装 / 外壳

3-XFDFN

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

1.6 nC @ 4.5 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

64.3 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

175mOhm @ 300mA, 4.5V

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