DMN2014LHAB-7

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DMN2014LHAB-7

零件编号：

DMN2014LHAB-7

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SMD

数量：

1606

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

20V

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1.1V @ 250µA

最大功率

800mW

配置

2 N-Channel (Dual) Common Drain

封装 / 外壳

6-UFDFN Exposed Pad

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

16nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1550pF @ 10V

供应商器件封装

U-DFN2030-6 (Type B)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

13mOhm @ 4A, 4.5V

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