DMN2011UFX-7

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DMN2011UFX-7

零件编号：

DMN2011UFX-7

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

DFN2050

数量：

4079

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

20V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1V @ 250µA

最大功率

2.1W

配置

2 N-Channel (Dual) Common Drain

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

56nC @ 10V

封装 / 外壳

4-VFDFN Exposed Pad

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

12.2A (Ta)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2248pF @ 10V

供应商器件封装

V-DFN2050-4

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