DMN13H750S-7
零件编号:
DMN13H750S-7
产品分类:
制造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
SOT23
数量:
9498
RoHS 状态:
NO
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PDF:
数量
价格
总价
1
$0.54
$0.54
10
$0.37
$3.7
100
$0.28
$28
500
$0.22
$110
1000
$0.21
$210
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
最大功耗
770mW (Ta)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
750mOhm @ 2A, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
130 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
231 pF @ 25 V