DMN1019USN-7

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DMN1019USN-7

零件编号：

DMN1019USN-7

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SC59

数量：

8356

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

封装 / 外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

最大栅源电压

±8V

漏极至源极电压 (Vdss)

12 V

供应商器件封装

SC-59-3

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

9.3A (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

800mV @ 250µA

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

1.2V, 2.5V

最大功耗

680mW (Ta)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

50.6 nC @ 8 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2426 pF @ 10 V

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