DMN100-7-F
零件编号:
DMN100-7-F
产品分类:
制造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
封装:
Tape & Reel (TR)
包装:
SOT23
数量:
1600
RoHS 状态:
NO
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零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 1mA
最大功耗
500mW (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
150 pF @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
240mOhm @ 1A, 10V
供应商器件封装
SC-59-3