DMG6601LVT-7

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DMG6601LVT-7

零件编号：

DMG6601LVT-7

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SMD

数量：

4188

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1.5V @ 250µA

配置

N and P-Channel

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

封装 / 外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

漏极至源极电压 (Vdss)

30V

最大功率

850mW

供应商器件封装

TSOT-26

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

3.8A, 2.5A

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

55mOhm @ 3.4A, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

12.3nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

422pF @ 15V

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